2017年注定中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)不會(huì)平靜。新年伊始，晶圓產(chǎn)線新建、擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的消息紛至沓來(lái)。

　　2月6日SK海力士宣布投資36億美元在江蘇無(wú)錫啟動(dòng)第二工廠計(jì)劃;2月10日格芯宣布投資百億美元在成都建設(shè)12寸產(chǎn)線;2月12日紫光宣布在南京建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地，總投資300億美元;三星宣布西安二期擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。連同2016年開(kāi)工建設(shè)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、臺(tái)積電南京、華力微二期、晉江晉華集成、中芯國(guó)際北京B3、中芯國(guó)際上海、中芯國(guó)際深圳等眾多12寸產(chǎn)線;在新建擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃宣布的同時(shí)，廈門聯(lián)芯12寸于2016年11月試產(chǎn)后，今年將加速量產(chǎn)，合肥晶合12寸也將于2017年6月投產(chǎn)，淮安德科碼12寸也將于2017年8月投產(chǎn)。

　　中國(guó)晶圓制造一派“芯芯向榮”的局面。下面筆者將為您分析國(guó)內(nèi)晶圓制造的情況，到底是“芯芯向榮”還是“芯芯向戎”。

　　一、中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)現(xiàn)狀

　　隨著國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(以下簡(jiǎn)稱“大基金”)的建立和社會(huì)資本加大對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了新一輪的調(diào)整發(fā)展，芯片設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體制造業(yè)所占比重逐年上升，半導(dǎo)體制造業(yè)產(chǎn)值首次超過(guò)1000億元大關(guān)。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2016年中國(guó)大陸半導(dǎo)體制造業(yè)營(yíng)收1126.9億元，同比增長(zhǎng)25.1%，原因是國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)線滿產(chǎn)以及擴(kuò)產(chǎn)的帶動(dòng)。2012-2016年中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)中，每年的增長(zhǎng)幅度都在23%以上(見(jiàn)圖1)。

      圖1：中國(guó)2012-2016年半導(dǎo)體制造業(yè)情況

　　由圖2可以看出，2015年中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)前十大的營(yíng)收總和是633.2億元，占半導(dǎo)體制造業(yè)總營(yíng)收的70%多。

　　其中內(nèi)外資公司各占一半，五家外資公司的營(yíng)收是355.50億元，五家內(nèi)資公司的營(yíng)收是277.7億元。

　　其中五家IDM公司合計(jì)總營(yíng)收是363.6億元，三星、SK海力士和英特爾都是大型IDM外資在中國(guó)開(kāi)辦的生產(chǎn)廠，2015年三家總營(yíng)收293.8億元，占前十大的近一半，占中國(guó)晶圓制造業(yè)總營(yíng)收的三分之一。華潤(rùn)微電子和西安微電子所都是國(guó)內(nèi)的IDM企業(yè)，這兩家的營(yíng)收中包括封測(cè)業(yè)收入，合計(jì)營(yíng)收69.8億元。

      圖2：中國(guó)晶圓制造業(yè)前十大情況

　　由圖2可知，五家純代工公司合計(jì)總營(yíng)收269.6億元，臺(tái)積電以及和艦科技是外資企業(yè)，兩家合計(jì)61.7億元，內(nèi)資代工公司中芯國(guó)際、華虹宏力和華力微三家合計(jì)營(yíng)收只有207.9億元。

　　三星、SK海力士、英特爾三家共計(jì)4條12寸產(chǎn)線都是按母公司合約進(jìn)行生產(chǎn)內(nèi)存芯片和芯片組芯片，合計(jì)產(chǎn)能為330K，占有總體12寸產(chǎn)能的62%以上;而8寸中，德州儀器和中車時(shí)代的6萬(wàn)片8寸產(chǎn)能都是按母公司合約進(jìn)行生產(chǎn)，這些都不對(duì)外提供代工服務(wù)。

　　二、中國(guó)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能分析

　　根據(jù)筆者統(tǒng)計(jì)，詳見(jiàn)圖3，中國(guó)現(xiàn)有量產(chǎn)的12寸制造線11條，12寸設(shè)計(jì)產(chǎn)能累計(jì)為540K;現(xiàn)有量產(chǎn)的8寸晶圓制造線18條，8寸產(chǎn)能累計(jì)為671K。以此計(jì)算，中國(guó)半導(dǎo)體制造產(chǎn)能高達(dá)840K約當(dāng)12寸產(chǎn)能。

      圖3：中國(guó)現(xiàn)有12寸及8寸晶圓制造產(chǎn)線情況(不包含獨(dú)立的MEMS產(chǎn)線)

　　三、中國(guó)晶圓代工業(yè)現(xiàn)狀

　　2016年底中國(guó)晶圓代工設(shè)計(jì)產(chǎn)能包括12寸210K，8寸產(chǎn)能611K，總體合計(jì)482K約當(dāng)12寸產(chǎn)能。

　　2016中國(guó)本土晶圓代工業(yè)者中芯國(guó)際、華力微、武漢新芯的12寸設(shè)計(jì)產(chǎn)能合計(jì)為160K。然實(shí)際產(chǎn)量是134K。8寸設(shè)計(jì)產(chǎn)能合計(jì)為446K，然實(shí)際產(chǎn)量是430K;中國(guó)內(nèi)資代工產(chǎn)能合計(jì)350K。

　　但是我們要注意到，雖然，我國(guó)晶圓代工產(chǎn)能有350K，但是先進(jìn)產(chǎn)能與海外還有有相當(dāng)?shù)牟罹唷?br style="box-sizing: border-box; appearance: none; -webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0);"/>
　　2016年中芯國(guó)際的65納米以下工藝營(yíng)收占總營(yíng)收44.6%;28nm Poly工藝已經(jīng)穩(wěn)定量產(chǎn)，產(chǎn)能爬坡迅速，第4季28nm工藝營(yíng)收占到公司總營(yíng)收的3.5%，全年28nm工藝營(yíng)收占到公司總營(yíng)收的1.6%，預(yù)計(jì)2017年將有可能達(dá)到7-9%。在28nm取得突破的同時(shí)，14nm還在緊張研發(fā)中?？蛻糁饕歉咄ü?，主要工藝是28nm Poly。28nm HKMG工藝2016年底流片成功。

　　四、中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)能支撐中國(guó)晶圓代工制造業(yè)嗎?

　　中國(guó)整機(jī)系統(tǒng)公司崛起迅速，“本土化戰(zhàn)略開(kāi)始突顯。從2011年開(kāi)始，受益于下游整機(jī)市場(chǎng)的興起，本土的設(shè)計(jì)企業(yè)開(kāi)始迅速崛起，增速遠(yuǎn)大于全球設(shè)計(jì)公司的CAGR(年均復(fù)合增長(zhǎng)率)。從表4可以看到，2011年中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)總營(yíng)收為526.40億元，到2016年為1644.30億元，2016年是2011年的3倍多，CAGR是20.91%，而全球設(shè)計(jì)業(yè)的CAGR僅為3%左右。

　　在中國(guó)設(shè)計(jì)公司快速增長(zhǎng)的過(guò)程中，國(guó)內(nèi)的晶圓代工公司自然享受成長(zhǎng)紅利，我們看到從2011-2016年里，伴隨著設(shè)計(jì)企業(yè)的崛起，中芯國(guó)際、華力微、華虹宏力的營(yíng)收也是成長(zhǎng)迅速。2016年中芯國(guó)際和華虹宏力都交出了亮麗的成績(jī)單，這和中國(guó)的設(shè)計(jì)公司快速增長(zhǎng)息息相關(guān)。

      圖4：中國(guó)2011-2016年IC設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展情況

　　根據(jù)中芯國(guó)際和華虹宏力的報(bào)告，我們可以知道大約有一半的收入來(lái)自國(guó)內(nèi)客戶。

　　中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的產(chǎn)值是1644.3億元，假定一半在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，假設(shè)芯片設(shè)計(jì)公司的毛利為40%，則晶圓制造業(yè)產(chǎn)值為588億元(約合92億美元)，如果每片12寸晶圓的價(jià)格為2500美元，需要的年產(chǎn)能是3660K片12寸晶圓，則每月是305K片12寸晶圓，如果以90%產(chǎn)能利用率計(jì)算，則每月產(chǎn)能為340K片12寸晶圓產(chǎn)能。(臺(tái)積電是3070美元每片12寸晶圓價(jià)格，由于2016年臺(tái)積電的工藝中28/20/16nm營(yíng)收占總營(yíng)收的33%，20/16nm的工藝價(jià)格相對(duì)更高，所以我們?nèi)∶科?2寸晶圓的價(jià)格為2500美元)。

　　如此看來(lái)，國(guó)內(nèi)目前晶圓代工產(chǎn)能不足以支持中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的發(fā)展。

　　五、中國(guó)需要多少晶圓產(chǎn)能

　　2016年，預(yù)估中國(guó)本地市場(chǎng)消耗1000億美元半導(dǎo)體產(chǎn)品，由于CPU、內(nèi)存芯片、高速高精度AD/DA芯片、高端FPGA芯片和大功率IGBT器件為主要的功率器件為重中之重，約占消耗額的4成，這一部分目前國(guó)內(nèi)沒(méi)有能力生產(chǎn)。國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)的集成電路至少有一半是在國(guó)內(nèi)消耗，這大約占一成。

　　假定消耗額中剩余的500億美元都在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)，假設(shè)芯片設(shè)計(jì)公司的毛利為40%，則晶圓制造業(yè)產(chǎn)值為358億美元，如果每個(gè)12寸晶圓的價(jià)格為2500美元，需要的年產(chǎn)能是14320K個(gè)12寸晶圓，則每月是1190K個(gè)12寸晶圓，如果以90%產(chǎn)能利用率計(jì)算，則每月產(chǎn)能為1320K的12寸晶圓產(chǎn)能。缺口大約是每月1000K的12寸晶圓產(chǎn)能。

　　當(dāng)然每月1000K的12寸晶圓產(chǎn)能是理論上的缺口，實(shí)際上缺口是沒(méi)有這么多的，因?yàn)閲?guó)內(nèi)還有100多條6寸以下的晶圓產(chǎn)線，估算實(shí)際缺口約800K每月約當(dāng)12寸晶圓產(chǎn)能。假定新建12寸產(chǎn)線月產(chǎn)能達(dá)到50K，則還需要建設(shè)16條月產(chǎn)50K的12寸產(chǎn)線。

　　據(jù)筆者統(tǒng)計(jì)在建和擬建的12寸產(chǎn)線產(chǎn)線情況(見(jiàn)表5和表6)，從表5來(lái)看，中國(guó)目前在建的12寸產(chǎn)線有11條，將每月貢獻(xiàn)580K的12寸產(chǎn)能(包括存儲(chǔ)器產(chǎn)能240K/月)。從表6來(lái)看，中國(guó)目前擬建的12寸產(chǎn)線有10條，將每月貢獻(xiàn)500K的12寸產(chǎn)能。如果所有在建和擬建的12寸產(chǎn)線的產(chǎn)能都如期開(kāi)出，則2020年中國(guó)將新增每月12寸晶圓1000K。

圖5：中國(guó)在建12寸晶圓制造產(chǎn)線情況

圖6：中國(guó)擬建12寸晶圓制造產(chǎn)線情況

　　六、“兩頭在外”的困境如何破局

　　中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能缺口不僅僅只是建設(shè)幾個(gè)FAB就可以彌補(bǔ)的。而且建設(shè)FAB也不是肯堆錢就行，即使FAB廠房建好，設(shè)備在哪里?運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)在哪里?客戶在哪里?

　　01專項(xiàng)總體專家組組長(zhǎng)多個(gè)場(chǎng)合表示，國(guó)家為什么要頒布推進(jìn)綱要?首先是滿足國(guó)家的戰(zhàn)略需求。國(guó)家戰(zhàn)略發(fā)展中所依靠的一些核心的芯片，我們基本上都依賴國(guó)外。其次，解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展“兩頭在外”的現(xiàn)象。也就是說(shuō)，我們的設(shè)計(jì)企業(yè)，加工在外;制造企業(yè)，設(shè)計(jì)在外。

　　那么問(wèn)題來(lái)了?核心的芯片就是CPU、內(nèi)存芯片、高速高精度AD/DA芯片、高端FPGA芯片和IGBT等。這些不是簡(jiǎn)單建幾個(gè)FAB就可以生產(chǎn)，這些都需要更先進(jìn)的工藝技術(shù)。

　　為了破局“兩頭在外”的困境，我們必須有更先進(jìn)的工藝來(lái)支撐。

　　目前中芯國(guó)際和華力微的28nm工藝都于2015年下半年成功試產(chǎn)，還處在小規(guī)模量產(chǎn)階段，還只是28nm Poly。而28nm HKMG僅僅只是試制成功，離量產(chǎn)應(yīng)該還有一段路要走。

　　中芯國(guó)際12寸晶圓代工工藝主要是65/55nm、45/40nm兩大工藝節(jié)點(diǎn)，合計(jì)占公司總營(yíng)收43%，公司CEO邱慈云表示28nm的營(yíng)收在2017年將占公司總營(yíng)收的7-9%。

　　中芯國(guó)際將跳過(guò)20nm制程，直接進(jìn)入14nm FinFET工藝制程，這將對(duì)中芯國(guó)際是一個(gè)巨大的考驗(yàn)。FinFET和Bulk CMOS工藝是完全不同的，Bulk CMOS是平面工藝，F(xiàn)inFET是立體工藝。

　　華力微在攻關(guān)28nm、14nm工藝的同時(shí)，也在評(píng)估FD-SOI技術(shù)，希望憑借其低成本優(yōu)勢(shì)和FinFET技術(shù)展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。

　　其時(shí)在SOI方面國(guó)內(nèi)已經(jīng)進(jìn)行了布局。材料方面，2015年上海新傲科技已開(kāi)始生產(chǎn)SOI工藝的200毫米晶圓，引入的是法國(guó)Soitec公司獨(dú)有的Smart Cut技術(shù)。

　　有工藝專家表示，雖然SOI工藝錯(cuò)過(guò)成為主流技術(shù)的機(jī)會(huì)，無(wú)法與FinFET爭(zhēng)奪主流地位，也不會(huì)取代FinFET。但可以進(jìn)行差異化競(jìng)爭(zhēng)，不和FinFET拼性能，但可以在合適的領(lǐng)域拼性價(jià)比，比如RF、嵌入式MARM、低功耗。

　　所以華力微未來(lái)上馬FD-SOI工藝技術(shù)，不失為一條捷徑。

　　七、小結(jié)

　　1、中國(guó)是需要建FAB，但是我們的設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)要跟上，我們不能依靠美歐日的設(shè)備材料公司提供，一旦有情況發(fā)生，將出現(xiàn)巧婦難為無(wú)米之炊。讓人欣慰的是，在02重大專項(xiàng)支持下，我國(guó)的設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)取得了喜人的進(jìn)步，刻蝕機(jī)、氧化機(jī)、薄膜、光刻、離子注入等設(shè)備成功替代國(guó)外廠商同類產(chǎn)品，進(jìn)入中芯國(guó)際。同時(shí)隨著國(guó)產(chǎn)設(shè)備大量投入使用，將使得我國(guó)芯片制造的設(shè)備采購(gòu)成本降低。

　　2、在12寸及尖端先進(jìn)工藝方面，國(guó)家必須砸入重金進(jìn)行持續(xù)支持，F(xiàn)inFET和SOI同時(shí)攻關(guān)，緊跟國(guó)際先進(jìn)技術(shù)，不要妄想彎道超車，彎道超車稍有不慎就會(huì)車毀人亡。我們只要跟住對(duì)手，不要再次拉大差距，迫使對(duì)手忙中出錯(cuò)，直線超車又快又安全。

　　3、加大人才培養(yǎng)力度。除了在大學(xué)進(jìn)行培養(yǎng)外，還應(yīng)該在中芯國(guó)際、華力微、華虹宏力等公司加大梯隊(duì)人才培養(yǎng)，要讓中芯國(guó)際、華力微、華虹宏力成為我國(guó)晶圓制造業(yè)的黃埔軍校。只要黃埔軍校真正發(fā)揮作用，中國(guó)的晶圓制造的運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)就不再需要花費(fèi)3倍高價(jià)去臺(tái)灣、美國(guó)等地區(qū)挖人了。

　　4、中央政府對(duì)晶圓制造要有合理的布局，同時(shí)對(duì)地方政府的不規(guī)范行為應(yīng)該進(jìn)行遏制。地方政府不能給予外資晶圓制造以超國(guó)民待遇，以免與內(nèi)資企業(yè)造成不公平競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。